Qualcomm Snapdragon 835: компактность, эффективность и Quick Charge 4
Компания Qualcomm официально объявила о том, что следующий топовый процессор она выпустит совместно с Samsung. Чипсет Snapdragon 835 будет создан по 10-нм техпроцессу с использованием транзисторов FinFET и станет самым маленьким в своём классе.
В Qualcomm утверждают, что новый техпроцесс позволит повысить производительность (на 27%), а также снизить энергопотребление (на 40%). Кроме того, чипсет будет занимать до 30% меньше места, что позволит сделать гаджеты компактнее или же разместить дополнительные компоненты.
Примечательно, что Snapdragon 835 принесёт с собой улучшенную технологию быстрой зарядки Quick Charge 4. С ней устройства будут заряжаться на 20% быстрее, а технология параллельной зарядки Dual Charge позволит сделать это на 30% эффективнее. Всего 5 минут зарядки будет достаточно для работы устройства в течение 5 часов, а за 15 минут батарея зарядится наполовину.
Поддерживаются стандарты USB-C и USB Power Delivery для быстрой зарядки USB-PD гаджетов – таких, как прошлогодние Nexus и новые смартфоны серии Pixel, а также новые MacBook.
Помимо этого, технология Quick Charge 4 включает функцию INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage или Умное определение оптимального напряжения) третьей версии. На этот раз она позволяет регулировать температуру в реальном времени. Представлены и новые контроллеры питания – SMB1380 и SMB1381 с максимальной эффективностью до 95%.
Первые устройства на основе Qualcomm Snapdragon 835 появятся в первой половине 2017 года.